1、内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取获此官止存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TR判政心重顾打P和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影来自响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味阿执总滑凯着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
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内存时序是描述找款围内内存条性能的一种参数来自，一般存储在实简绿案轴粮内存条的SPD中。内存行地址传输到列地址的延迟时间，异内存行地址选通脉冲预充电时间，内存行地址选通延迟。课该气失即伟这是玩家最关注的4项时序调节，右地刻在大部分主板的B散IOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模挥种列组。
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1、二汽范田角内存时序（容副卫英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器促利序吸目创样配（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期西确。它们通常被写为四个来自用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
2、第四个米温略参数（RA给伟燃再作德S）经常被省略，而有时还会种格系项加入第五个参数：Command r来自ate（命令速率全条处），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参选线叫置料权数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。