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专利名称：一种存储单元及其存储阵列结构、操作方法专利类型：发明专利发明人：任永旭,顾明
申请号：CN2017112406.7申请日：20171130公开号：CN107967929A公开日：20180427
摘要：本发明公开了一种存储单元及其存储阵列结构、操作方法，所述存储单元为一种NMOS型编程选择二极管熔断电阻存储单元，其等效为一个用作编程的二极管和熔丝电阻，通过本发明，可解决现有技术中EFUSE存储单元版图面积大的问题。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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