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专利名称：用于降压转换器的单片集成晶体管专利类型：发明专利
发明人：王军,F·拜奥齐,林海安申请号：CN201580012800.8申请日：20150130公开号：CN106104802A公开日：20161109
摘要：在所描述的实例中，一种用于降压转换器的集成半导体晶体管芯片(110a)包含高侧晶体管(120a)，其形成于所述芯片(110a)上且包含横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管。此外，所述芯片(110a)包含低侧晶体管(130a)，其形成于所述芯片(110a)上且包含源极向下金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。此外，所述芯片(110a)包含：衬底(138)，其用作所述低侧晶体管(130a)的源极；及n掺杂阱(122)，其用于将所述高侧晶体管(120a)与所述低侧晶体管(130a)的所述源极隔离。
申请人：德州仪器公司
地址：美国德克萨斯州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：林斯凯
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