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专利名称：半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的
方法
专利类型：发明专利
发明人：彭成毅,何嘉政,林铭祥,张智胜,卡洛斯·H·迪亚兹申请号：CN201711293943.8申请日：20171208公开号：CN109427747A公开日：20190305
摘要：一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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