（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010021515.5 （22）申请日 2020.01.09
（71）申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
（10）申请公布号 CN111199971A
（43）申请公布日 2020.05.26
（72）发明人 蔡小五;高悦欣;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;夏瑞瑞;罗家俊 （74）专利代理机构 北京华沛德权律师事务所
代理人 房德权
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种双向触发的ESD保护器件
（57）摘要
本发明涉及一种双向触发的ESD防护器
件，包括：可控硅结构，包括：SOI衬底上设置的第一、第二PMOS管、以及双向三极管、第一、第二三极管；双向触发电路包括：串联的第一电阻、电容、第二电阻，以及第一、第二二极管；第一电阻的一端连接第一PMOS管的源极，另一端连接第一PMOS管的栅极，第二电阻的一端连接第二PMOS管的源极，另一端连接第二PMOS管的栅极；第一触发端通过反向的第一二极管连接双向
三极管在第一方向上导通时的集电极，第一触发端还连接第一三极管的发射极；第二触发端通过反向的第二二极管连接双向三极管在第二方向上导通时的集电极，第二触发端连接第二三极管的发射极，在较低电压下触发双向SCR工作。
法律状态
法律状态公告日
2020-05-26 2020-05-26 2020-06-19
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
一种双向触发的ESD保护器件的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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